RBR30T60ANZC9

สังเกต: ROHM Semiconductor RBR30T60ANZC9 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)
สถานะชิ้นส่วน	Active
การกำหนดค่าไดโอด	1 Pair Common Cathode
ประเภทไดโอด	Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	60 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (ไอโอ) (ต่อไดโอด)	15A
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	670 mV @ 15 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	-
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	600 µA @ 60 V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	150°C
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3 Full Pack
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220FN

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 1000

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RBR30NS30ATL ROHM Semiconductor
	RBR30NS40AFHTL ROHM Semiconductor
	RBR30NS30AFHTL ROHM Semiconductor
	RBR30T60ANZC9 ROHM Semiconductor
	RBR30NS60AFHTL ROHM Semiconductor
	RBR30T30ANZC9 ROHM Semiconductor
	RBR30NS60ATL ROHM Semiconductor
	RBR30NS40ATL ROHM Semiconductor
	RBR30T40ANZC9 ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว