APT10SCD65KCT

สังเกต: Microsemi APT10SCD65KCT มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
การกำหนดค่าไดโอด	1 Pair Common Cathode
ประเภทไดโอด	Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	650 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (ไอโอ) (ต่อไดโอด)	17A
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	1.8 V @ 10 A
ความเร็ว	No Recovery Time > 500mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	0 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	200 µA @ 650 V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	-55°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	APT15DS60BG Roving Networks / Microchip Technology
	APT15D100BHBG Roving Networks / Microchip Technology
	APT15D60BCAG Roving Networks / Microchip Technology
	APT15DQ100BCTG Roving Networks / Microchip Technology
	APT15DQ60BCTG Roving Networks / Microchip Technology
	APT15D40BCTG Roving Networks / Microchip Technology
	APT10SCD65KCT Microsemi
	APT15DQ120BCTG Microsemi
	APT100S20LCTG Roving Networks / Microchip Technology
	APT15S20BCTG Microsemi

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว