RF2001T3DNZC9

สังเกต: ROHM Semiconductor RF2001T3DNZC9 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
การกำหนดค่าไดโอด	1 Pair Common Cathode
ประเภทไดโอด	Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	300 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (ไอโอ) (ต่อไดโอด)	20A
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	1.3 V @ 10 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	25 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	10 µA @ 300 V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	150°C
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3 Full Pack
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220FN

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RF2001NS3DTL ROHM Semiconductor
	RF2001NS3DFHTL ROHM Semiconductor
	RF2001T2D ROHM Semiconductor
	RF2001NS2DTL ROHM Semiconductor
	RF2001NS2DFHTL ROHM Semiconductor
	RF2001T2DNZC9 ROHM Semiconductor
	RF2001T3D ROHM Semiconductor
	RF2001T3DNZC9 ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว