DD1200S12H4

สังเกต: Rochester Electronics DD1200S12H4 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
การกำหนดค่าไดโอด	2 Independent
ประเภทไดโอด	Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	1.2 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (ไอโอ) (ต่อไดโอด)	-
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	2.35 V @ 1.2 A
ความเร็ว	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	-
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	475 A @ 600 V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	-40°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กรณี	Module
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	AG-IHMB130-2

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 30

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	DD1200S33K2CB3S2NDSA1 IR (Infineon Technologies)
	DD1200S33K2CB3NOSA1 IR (Infineon Technologies)
	DD1200S33KL2CB5NOSA1 IR (Infineon Technologies)
	DD1200S17H4B2BOSA2 IR (Infineon Technologies)
	DD1200S33K2CNOSA1 IR (Infineon Technologies)
	DD1200S45KL3B5NOSA1 IR (Infineon Technologies)
	DD1200S12H4 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว