2N2608

สังเกต: Central Semiconductor 2N2608 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	P-Channel
แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (V (BR) GSS)	30 V
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	900 µA @ 5 V
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (Id) - สูงสุด	-
แรงดันไฟฟ้า - ตัด (ปิด VGS) @ Id	1 V @ 1 µA
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	-
ความต้านทาน - RDS (เปิด)	-
กำลัง - สูงสุด	300 mW
อุณหภูมิในการทำงาน	-
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-18

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	2N2608 Central Semiconductor
	2N2609 Roving Networks / Microchip Technology

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว