PMWD19UN,518

สังเกต: NXP Semiconductors PMWD19UN,518 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	TrenchMOS™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET	Logic Level Gate
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	30V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	5.6A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	23mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	28nC @ 5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1478pF @ 10V
กำลัง - สูงสุด	2.3W
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	8-TSSOP

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว