BSC750N10NDGATMA1

สังเกต: Rochester Electronics BSC750N10NDGATMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS™
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET	Standard
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	100V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	3.2A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	75mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	11nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	720pF @ 50V
กำลัง - สูงสุด	26W
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	8-PowerVDFN
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TDSON-8-4

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 2624

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BSC750N10NDGATMA1 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว