CSD87312Q3E

สังเกต: Texas Instruments CSD87312Q3E มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	NexFET™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
คุณสมบัติ FET	Logic Level Gate
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	30V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	27A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	33mOhm @ 7A , 8V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	8.2nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1250pF @ 15V
กำลัง - สูงสุด	2.5W
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	8-PowerTDFN
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	8-VSON (3.3x3.3)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 331510000

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว