EFC6611R-TF

สังเกต: Rochester Electronics EFC6611R-TF มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
คุณสมบัติ FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	100nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	-
กำลัง - สูงสุด	2.5W
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	6-SMD, No Lead
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	6-CSP (1.77x3.54)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 74998

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	EFC6612R-A-TF Rochester Electronics
	EFC6601R-A-TR Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	EFC6602R-A-TR Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	EFC6611R-TF Rochester Electronics
	EFC6602R-TR Rochester Electronics
	EFC6612R-TF Rochester Electronics
	EFC6611R-A-TF Rochester Electronics
	EFC6605R-TR Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	EFC6601R-TR Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	EFC6605R-V-TR Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว