BSO612CVGHUMA1

สังเกต: Rochester Electronics BSO612CVGHUMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	SIPMOS®
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N and P-Channel
คุณสมบัติ FET	Standard
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	60V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	3A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 20µA, 4V @ 450µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	15.5nC, 16nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	340pF, 400pF @ 25V
กำลัง - สูงสุด	2W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-DSO-8

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BSO615CT IR (Infineon Technologies)
	BSO615NGHUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSO615CGHUMA1 Rochester Electronics
	BSO612CVGHUMA1 Rochester Electronics
	BSO615N IR (Infineon Technologies)
	BSO612CV IR (Infineon Technologies)
	BSO604NS2XUMA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว