QS8J12TCR

สังเกต: ROHM Semiconductor QS8J12TCR มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)
สถานะชิ้นส่วน	Not For New Designs
ประเภท FET	2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET	Logic Level Gate, 1.5V Drive
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	12V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	4.5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	40nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4200pF @ 6V
กำลัง - สูงสุด	550mW
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	8-SMD, Flat Lead
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TSMT8

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว