PBRP123ES,126

สังเกต: NXP Semiconductors PBRP123ES,126 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Box (TB)
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์	PNP - Pre-Biased
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	800 mA
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	50 V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)	2.2 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานตัวส่ง (R2)	2.2 kOhms
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	-
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	-
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	-
ความถี่ - การเปลี่ยน	-
กำลัง - สูงสุด	500 mW
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-92-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว