PDTB113ES,126

สังเกต: NXP Semiconductors PDTB113ES,126 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Box (TB)
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์	PNP - Pre-Biased
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	500 mA
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	50 V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)	1 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานตัวส่ง (R2)	1 kOhms
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	33 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	500nA
ความถี่ - การเปลี่ยน	-
กำลัง - สูงสุด	500 mW
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-92-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	PDTB123YUF Nexperia
	PDTB143ETVL Rochester Electronics
	PDTB143XTVL Nexperia
	PDTB114EUF Rochester Electronics
	PDTB123EK,115 NXP Semiconductors
	PDTB123EUX Nexperia
	PDTB123ET,215 Nexperia
	PDTB123YUX Nexperia
	PDTB114EQAZ Nexperia
	PDTB113EQAZ Nexperia

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว