PDTA115EMB,315

สังเกต: Rochester Electronics PDTA115EMB,315 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภททรานซิสเตอร์	PNP - Pre-Biased
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	20 mA
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	50 V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)	100 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานตัวส่ง (R2)	100 kOhms
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	150mV @ 250µA, 5mA
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	1µA
ความถี่ - การเปลี่ยน	180 MHz
กำลัง - สูงสุด	250 mW
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	3-XFDFN
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	DFN1006B-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 199970

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	PDTA144ET,215 Nexperia
	PDTA114TT,215 Nexperia
	PDTA144WT,215 Nexperia
	PDTA143ZM,315 Nexperia
	PDTA144TE,115 NXP Semiconductors
	PDTA143ZE,115 Rochester Electronics
	PDTA124TU,115 Rochester Electronics
	PDTA143ZK,115 NXP Semiconductors
	PDTA124EU,115 Nexperia
	PDTA124XMB,315 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว