FF650R17IE4DPB2BOSA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) FF650R17IE4DPB2BOSA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
การกำหนดค่า	2 Independent
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	1700 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	650 A
กำลัง - สูงสุด	-
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 650A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	5 mA
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce	54 nF @ 25 V
อินพุต	Standard
NTC เทอร์มิสเตอร์	Yes
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กรณี	Module
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	Module

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	FF650R17IE4DPB2BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF650R17IE4PBOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF650R17IE4DB2BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF650R17IE4VBOSA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว