VS-ENQ030L120S

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	VS-ENQ030L120S
ผู้ผลิต:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
แผ่นข้อมูล:	VS-ENQ030L120S แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ENQ030L120S มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	Trench
การกำหนดค่า	Three Level Inverter
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	1200 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	61 A
กำลัง - สูงสุด	216 W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.52V @ 15V, 30A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	230 µA
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce	3.34 nF @ 30 V
อินพุต	Standard
NTC เทอร์มิสเตอร์	Yes
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กรณี	EMIPAK-1B
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	EMIPAK-1B

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	VS-ENQ030L120S Vishay General Semiconductor – Diodes Division

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว