FF200R12KT4HOSA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) FF200R12KT4HOSA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	C
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
การกำหนดค่า	Half Bridge
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	1200 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	320 A
กำลัง - สูงสุด	1100 W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 200A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	5 mA
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce	14 nF @ 25 V
อินพุต	Standard
NTC เทอร์มิสเตอร์	No
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กรณี	Module
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	Module

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 51

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	FF200R12MT4 Rochester Electronics
	FF200R12MT4BOMA1 Rochester Electronics
	FF200R06KE3HOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF200R17KE3HOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF200R12KT4HOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF200R33KF2CNOSA1 Rochester Electronics
	FF200R12KT3EHOSA1 Rochester Electronics
	FF200R12KE3B2HOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF200R12KT3HOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF200R12KE4PHOSA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว