FS75R06KE3BOSA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) FS75R06KE3BOSA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tray
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
การกำหนดค่า	Half Bridge
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	600 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	75 A
กำลัง - สูงสุด	250 W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 75A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	1 mA
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce	4.6 nF @ 25 V
อินพุต	Standard
NTC เทอร์มิสเตอร์	Yes
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กรณี	Module
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	Module

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	FS75R12W2T4B11BOMA1 IR (Infineon Technologies)
	FS75R12KE3BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FS75R12W2T4BOMA1 IR (Infineon Technologies)
	FS75R07U1E4BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	FS75R12KE3B9BOSA1 Rochester Electronics
	FS75R12KT4B15BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FS75R06KE3BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FS75R12KT4BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	FS75R12KS4BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FS75R07W2E3B11ABOMA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว