NXH35C120L2C2ESG

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	NXH35C120L2C2ESG
ผู้ผลิต:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NXH35C120L2C2ESG มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	-
การกำหนดค่า	Three Phase Inverter with Brake
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	1200 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	35 A
กำลัง - สูงสุด	20 mW
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 35A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	250 µA
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce	8.333 nF @ 20 V
อินพุต	Three Phase Bridge Rectifier
NTC เทอร์มิสเตอร์	Yes
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	26-DIP

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	NXH35C120L2C2S1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NXH35C120L2C2SG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NXH35C120L2C2ESG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NXH350N100H4Q2F2P1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NXH350N100H4Q2F2PG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NXH350N100H4Q2F2S1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NXH350N100H4Q2F2SG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว