DF200R12PT4B6BOSA1

สังเกต: Rochester Electronics DF200R12PT4B6BOSA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
การกำหนดค่า	Three Phase Inverter
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	1.2 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	300 A
กำลัง - สูงสุด	1.1 W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 200A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	15 µA
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce	12.5 nF @ 25 V
อินพุต	Standard
NTC เทอร์มิสเตอร์	Yes
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กรณี	Module
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	Module

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 90

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	DF200R12PT4B6BOSA1 Rochester Electronics
	DF200R12KE3HOSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF200R12W1H3B27BOMA1 IR (Infineon Technologies)
	DF200R12W1H3FB11BOMA1 IR (Infineon Technologies)
	DF200R12W1H3FB11BPSA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว