IDT70P3337S250RM

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	IDT70P3337S250RM
ผู้ผลิต:	Renesas Electronics America
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA
แผ่นข้อมูล:	IDT70P3337S250RM แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Renesas Electronics America IDT70P3337S250RM มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tray
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภทหน่วยความจำ	Volatile
รูปแบบหน่วยความจำ	SRAM
เทคโนโลยี	SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
ขนาดหน่วยความจำ	9Mb (512K x 18)
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ	Parallel
ความถี่นาฬิกา	250 MHz
เขียนรอบเวลา - Word, Page	-
เวลาเข้าถึง	6.3 ns
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	1.7V ~ 1.9V
อุณหภูมิในการทำงาน	0°C ~ 70°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	576-BBGA, FCBGA
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	576-FCBGA (25x25)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IDT71V424YS15PH Renesas Electronics America
	IDT70P3337S250RM Renesas Electronics America
	IDT71V65803S133PF8 Renesas Electronics America
	IDT71V416L10PH8 Renesas Electronics America
	IDT71T75602S100PF Renesas Electronics America
	IDT71V25761SA200BQI Renesas Electronics America
	IDT71V35761YSA183BQI8 Renesas Electronics America
	IDT71P72604S167BQI8 Renesas Electronics America
	IDT71V546XS133PF8 Renesas Electronics America
	IDT71V432S7PFGI Renesas Electronics America

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว