S26KS256SDGBHM030

สังเกต: Cypress Semiconductor S26KS256SDGBHM030 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
แพ็คเกจ	Tray
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภทหน่วยความจำ	Non-Volatile
รูปแบบหน่วยความจำ	FLASH
เทคโนโลยี	FLASH - NOR
ขนาดหน่วยความจำ	256Mb (32M x 8)
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ	Parallel
ความถี่นาฬิกา	133 MHz
เขียนรอบเวลา - Word, Page	-
เวลาเข้าถึง	96 ns
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	1.7V ~ 1.95V
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 125°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	24-VBGA
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	24-FBGA (6x8)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	S26KS512SDABHV030 Cypress Semiconductor
	S26KS256SDGBHI030 Cypress Semiconductor
	S26KS512SDABHN030 Cypress Semiconductor
	S26KL128SDABHV030 Cypress Semiconductor
	S26KL512SDABHM030 Cypress Semiconductor
	S26KL512SDABHB030 Cypress Semiconductor
	S26KS256SDGBHN030 Cypress Semiconductor
	S26KS128SDGBHM030 Cypress Semiconductor
	S26KL256SDABHV030 Cypress Semiconductor
	S26KL128SDABHN020 Cypress Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว