R6020JNZC17

สังเกต: ROHM Semiconductor R6020JNZC17 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bag
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	600 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	20A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	234mOhm @ 10A, 15V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	7V @ 3.5mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	45 nC @ 15 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1500 pF @ 100 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	76W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-3PF
แพ็คเกจ / กรณี	TO-3P-3 Full Pack

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	R6020JNZC8 ROHM Semiconductor
	R6020ENZ1C9 ROHM Semiconductor
	R6020ANZC8 ROHM Semiconductor
	R6020PNJFRATL ROHM Semiconductor
	R6024ENZ1C9 ROHM Semiconductor
	R6024ENX ROHM Semiconductor
	R6020JNXC7G ROHM Semiconductor
	R6024ENJTL ROHM Semiconductor
	R6020ENZC8 ROHM Semiconductor
	R6020FNJTL ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว