2N7640-GA

สังเกต: GeneSiC Semiconductor 2N7640-GA มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	-
เทคโนโลยี	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	650 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	16A (Tc) (155°C)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	105mOhm @ 16A
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	-
Vgs (สูงสุด)	-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1534 pF @ 35 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	330W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 225°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-276
แพ็คเกจ / กรณี	TO-276AA

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว