RGTVX2TS65GC11

สังเกต: ROHM Semiconductor RGTVX2TS65GC11 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	650 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	111 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	240 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 60A
กำลัง - สูงสุด	319 W
การเปลี่ยนพลังงาน	2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	123 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	49ns/150ns
เงื่อนไขการทดสอบ	400V, 60A, 10Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-247N

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RGTV60TS65DGC11 ROHM Semiconductor
	RGTV00TK65GVC11 ROHM Semiconductor
	RGTV60TK65GVC11 ROHM Semiconductor
	RGTV60TK65DGVC11 ROHM Semiconductor
	RGTV00TK65DGC11 ROHM Semiconductor
	RGTVX6TS65GC11 ROHM Semiconductor
	RGTV00TS65DGC11 ROHM Semiconductor
	RGTVX6TS65DGC11 ROHM Semiconductor
	RGTV00TS65GC11 ROHM Semiconductor
	RGTV60TS65GC11 ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว