RGS50TSX2DGC11

สังเกต: ROHM Semiconductor RGS50TSX2DGC11 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	1200 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	50 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	75 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 25A
กำลัง - สูงสุด	395 W
การเปลี่ยนพลังงาน	1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	67 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	37ns/140ns
เงื่อนไขการทดสอบ	600V, 25A, 10Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	182 ns
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-247N

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RGS50TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor
	RGS50TSX2HRC11 ROHM Semiconductor
	RGS50TSX2GC11 ROHM Semiconductor
	RGS50TSX2DGC11 ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว