TRS10E65F,S1Q

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	TRS10E65F,S1Q
ผู้ผลิต:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	DODE SCHOTTKY 650V TO220
แผ่นข้อมูล:	TRS10E65F,S1Q แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TRS10E65F,S1Q มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภทไดโอด	Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	650 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (Io)	10A (DC)
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	1.6 V @ 10 A
ความเร็ว	No Recovery Time > 500mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	0 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	50 µA @ 650 V
ความจุ @ Vr, F	36pF @ 650V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-2
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220-2L
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	175°C (Max)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 33

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	TRS10E65C,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TRS12E65C,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TRS10E65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TRS12A65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TRS12E65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TRS10A65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว