GeneSiC Semiconductor / 1N3767R
รูปภาพใช้สำหรับอ้างอิง โปรดติดต่อเราเพื่อรับรูปภาพจริง
1N3767R
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | 1N3767R |
| ผู้ผลิต: | GeneSiC Semiconductor |
| ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย: | DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5 |
| แผ่นข้อมูล: | 1N3767R แผ่นข้อมูล |
| สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS |
| สภาพสต็อค: | มีสินค้า |
| จัดส่งจาก: | Hong Kong |
| วิธีการจัดส่ง: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- สังเกต
- GeneSiC Semiconductor 1N3767R มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา
ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD
ข้อมูลจำเพาะ
| พิมพ์ | คำอธิบาย |
|---|---|
| ชุด | - |
| แพ็คเกจ | Bulk |
| สถานะชิ้นส่วน | Active |
| ประเภทไดโอด | Standard, Reverse Polarity |
| แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) | 900 V |
| ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (Io) | 35A |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า | 1.2 V @ 35 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr) | - |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| ความจุ @ Vr, F | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount |
| แพ็คเกจ / กรณี | DO-203AB, DO-5, Stud |
| แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ | DO-5 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก | -65°C ~ 190°C |
สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน
ขั้นต่ำ: 1
| ปริมาณ | ราคาต่อหน่วย | ต่อ ราคา |
|---|---|---|
ไม่มีราคา กรุณา RFQ |
||
การคำนวณค่าขนส่ง
US $40 โดยเฟดเอ็กซ์
มาถึงใน 3-5 วัน
ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก
เพิ่มในรถเข็นแล้ว!
รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว