APTSM120AM14CD3AG

สังเกต: Microsemi APTSM120AM14CD3AG มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
คุณสมบัติ FET	Silicon Carbide (SiC)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	1200V (1.2kV)
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	337A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	11mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 9mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	1224nC @ 20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	23000pF @ 1000V
กำลัง - สูงสุด	2140W
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กรณี	Module
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	Module

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว