FPF2C110BI07AS2

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	FPF2C110BI07AS2
ผู้ผลิต:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
แผ่นข้อมูล:	FPF2C110BI07AS2 แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FPF2C110BI07AS2 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tray
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	-
การกำหนดค่า	Half Bridge
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	650 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	40 A
กำลัง - สูงสุด	300 W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 40A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	250 µA
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce	-
อินพุต	Standard
NTC เทอร์มิสเตอร์	Yes
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	30-DIP Module
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	F2

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	FPF2G120BF07AS Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FPF2C110BI07AS2 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FPF2G120BF07ASP Rochester Electronics
	FPF2C8P2NL07A Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว