BSM25GD120DN2BOSA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) BSM25GD120DN2BOSA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tray
สถานะชิ้นส่วน	Not For New Designs
ประเภท IGBT	-
การกำหนดค่า	Full Bridge
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	1200 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	35 A
กำลัง - สูงสุด	200 W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 25A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	800 µA
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce	1.65 nF @ 25 V
อินพุต	Standard
NTC เทอร์มิสเตอร์	No
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กรณี	Module
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	Module

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BSM200GB60DLCHOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM20GD60DLCE3224 Rochester Electronics
	BSM25GB120DN2 Rochester Electronics
	BSM200GB120DLCHOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM25GP120BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM25GD120DN2BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM20GD60DLC Rochester Electronics
	BSM200GA120DLCHOSA1 Rochester Electronics
	BSM25GD120DN2E3224BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM200GD60DLCBOSA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว